半導體材料專家梁駿吾院士逝世

　　【光明追思】

　　半導體材料專家、半導中國工程院院士、體材中國科學院半導體所研究員梁駿吾，料專因病醫(yī)治無效，家梁駿吾于2022年6月23日在北京逝世，院士亞洲亂碼日產(chǎn)精品BD在線觀看享年89歲。逝世亞洲bt下載

　　梁駿吾，半導1933年9月18日出生，體材湖北武漢人。料專1955年畢業(yè)于武漢大學，家梁駿吾1956年至1960年在蘇聯(lián)科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻讀副博士學位，院士1960年獲技術科學副博士學位。逝世?1997年當選為中國工程院院士。半導亞洲ci網(wǎng)曾任中國電子學會半電子材料學分會主任、體材名譽主任。料專

　　梁駿吾是我國從事硅材料研究的元老級專家，在20世紀60年代解決了高純區(qū)熔硅的亞洲HDMI高清線關鍵技術。1964年制備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功為大規(guī)模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、亞洲jav低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶。80年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。

　　梁駿吾一生與半導體材料科研事業(yè)相伴，他曾在采訪中說，希望通過自己的科研經(jīng)歷，帶給年輕科研人員一些啟發(fā)，讓他們看到這份事業(yè)可以有所作為，讓他們覺得自己同樣能夠作出成績。（光明日報全媒體記者李苑）

(責任編輯：亞洲精品久久久久久久久久吃藥)

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